На прошлой неделе TSMC с воодушевлением сообщила о намерениях начать строительство на Тайване первой в мире фабрики, способной выпускать полупроводниковые изделия по 3-нм технологии.
Точных сроков компания не называет, но ожидается, что строительство будет завершено не ранее 2022 года.
Подробнее: https://www.overclockers.ru/hardnews/87020/odin-iz-osnovatelej-ts… i-ot-del.html
ну что, кто там кукарекал что снижение техпроцесса до 5 nm - это потолок ? :D (и что даже 5 nm - вилами на воде писан ..) :D
ну и это ещё как бы не предел .. :D
Хотел сперва спросить - "они там рентгеном уже что ли жарят?", но предварительно решил слазить в википедию и таки да - от 10 нм начинается именно что рентгеновский диапазон.
itmanager85
>ну и это ещё как бы не предел .. :D
Тоньше 1 атома всё равно не сделают и напряжение ниже 0.7V снизить не получится.
>ну что, кто там кукарекал что снижение техпроцесса до 5 nm - это потолок ?
Да всем вообще параллельно на эти техпроцессы, оно всё равно ни на что не влияет. Процессор 2011 года по производительности, от процессора 2016 - от силы на 15% ушёл, причём первый на 0.28nm, а второй на 0.16nm и
стоило из-за этих 15% столько баблища вбухивать?
зы.
Ну и вообще неуёмный технооптимизм несколько на болезнь смахивает.
0iStalker
> и напряжение ниже 0.7V снизить не получится.
TSMC пока не раскрывает свои карты относительно новейших техпроцессов, но заявляет о том, что знает как создать 5-нм техпроцесс с рабочим напряжением не выше 0,5 В не позднее чем через 10 лет! (новость до 2013-го)
http://www.russianelectronics.ru/leader-r/review/doc/63583/
0iStalker
> Да всем вообще параллельно на эти техпроцессы, оно всё равно ни на что не
> влияет. Процессор 2011 года по производительности, от процессора 2016 - от
> силы на 15% ушёл, причём первый на 0.28nm, а второй на 0.16nm и
> стоило из-за этих 15% столько баблища вбухивать?
на процессорах может и не так сильно отражается (хотя на серверных вопрос?), но вот мощь видяшек выросла на порядок с 2011-го :
2011->2017 = 40 nm->16 nm = 580->1080Ti = 1.58 TFlops -> 11.5 TFlops (FP32)
https://en.wikipedia.org/wiki/List_of_Nvidia_graphics_processing_units
а если сравнивать с Volta (GV100), то 15 TFlops (FP32)
это ещё при том что 16 nm TSMC по плотности размещения транзисторов как 20 nm техпроцесс TSMC .. т.е. реальное уменьшение техпроцесса в 2 раза дало прирост производительности не менее чем в 7 раз ..
не знаю как в дальнейшем ожидается повышение преимуществ при уменьшении техпроцесса - но думаю прирост производительности GPGPU раз так в 12-16 (может и больше) вполне можно ожидать при переходе до 3 nm техпроцесса ..
0iStalker
> зы.
> Ну и вообще неуёмный технооптимизм несколько на болезнь смахивает.
просто хочется погонять скрытую до того момента вычислительную мощь .. :D
0iStalker
Снижается энергоёмкость, площадь, увеличивается многоядерность. Само отдельное ядро конечно уперлось в скорость. Просто через какое-то время их будут по 32, 64, штук в один чип встраивать. Потом на полноценную многослойную 3D компоновку перейдут с теплоотводными слоями, доведут до 1024, или ещё больше. А потом вообще на непланарую компоновку - но тут я уже не знаю, насколько будут эффективно охлаждение, возможно многослойности будет более чем достаточн, но это уже дела 20-30 летней перспективы.
itmanager85
> что знает как создать 5-нм техпроцесс с рабочим напряжением не выше 0,5 В не
> позднее чем через 10 лет!
P-N переход на кремнии открывается на напряжении 0.7V, а физика - жестокая, самка собаки.
0iStalker
Кремний да. А есть германий, арсенид индия, арсенид галлия. Там другие напряжения и специфика. Вроде уже пытаются с ними работать.
Dexus
> Кремний да. А есть германий, арсенид индия, арсенид галлия. Там другие
> напряжения и специфика. Вроде уже пытаются с ними работать.
Вся индустрия на кремнии работает, переход на что-то другое это огромные затраты. Арсениды сейчас, в основном, в светодиодостроении используют.
лишь бы радиацию не излучало)
0iStalker
>переход на что-то другое это огромные затраты
Переход на новый техпроцесс это всегда затраты. А эти <8нм тем более. В рамках этих технологических ступеней, когда уткнутся в эти самые кремниевые параметры, и на другой материал перейти придётся. Все норм.
0iStalker
> P-N переход на кремнии открывается на напряжении 0.7V, а физика - жестокая,
> самка собаки.
ок, с тебя пиво если TSMC выпустит 5 nm (или ниже) транзисторы с напряжением менее 0.7V ? :D
или ты считаешь что это слишком большая цена твоей убеждённости ? :DD
Урааа! Можно еще больше говнокодить и меньше оптимизировать код! Да здравствует прогресс!
0iStalker
> Вся индустрия на кремнии работает, переход на что-то другое это огромные затраты. Арсениды сейчас, в основном, в светодиодостроении используют.
В современном чипостроении тот исходный кремний — это практически исключительно механическая поддержка.
Все рабочие структуры делаются напылением поверх него и конкретный материал там непринципиален.
Да, пока что там, в основном, производные кремния, но, например, обычного уже и не осталось.
0iStalker
> Вся индустрия на кремнии работает
на слайдах от амд не видел ничего странного?
}:+()___ [Smile]
> Все рабочие структуры делаются напылением поверх него и конкретный материал там
> непринципиален.
Они всегда, с самого первого микрочипа, делались напылением, инжекцией и литографией с последующим травлением. И пока что всё заточено на напыление кремния и алюминия (даже с медью уже проблемы).
}:+()___ [Smile]
> но, например, обычного уже и не осталось.
Ну там вроде, как обычно, - кремний без примесей, кремний с примесями, оксиды и прочие соединения кремния, всякие чувствительные к направлению движения зарядов формы кремния. На том и стоит индустрия.